オスミウムコーティングシステム(Tennant20)

オスミウムコートとは、試料表面に 極薄のオスミウム金属膜 を均一に形成する処理です。
これにより SEM観察や元素分析でのチャージを防ぎ、高精細な微細構造の観察 が可能になります。

電極は、特殊改良された新型の平行平板電極を使用。電極の周りをテフロンで覆っているため、放電がエッジ部分に周流することなく、試料ステージ全域で負グロー相領域の高さが均一となり、その高さも20㎜と格段に拡大。
高さのある試料も試料ステージのどこに設置しても、負グロー相領域での均一に成膜されたオスミウム金属被膜の強固な膜がコーティングできます。

これに対し、従来の電極では負グロー相領域の高さは5㎜と浅く、これを超える高さの試料では陽光柱領域での酸化オスミウム被膜が形成されます。さらにプラズマが中央部とエッジ部分に立ちやすい特性から、試料へのコーティング導電膜は電子線に脆弱で不均一な状態になり、膜厚のムラが生じます。

オスミウムは原子番号76、白金族元素の一つです。

Tennant20は試料周囲をオスミウムガスで包みこみ、プラズマCVD方式で瞬時にオスミウムを粒状性を抑え、なめらかにコーティングします。

試料上面、側面、下面、さらに複雑構造の奥深くにも均一に回り込むことが出来ます。このため熱ダメージなしに、極薄膜でも電子線ダメージに負けない強固な膜が成膜されます。

1/100 秒のタイマー制御で1nm 以下程度の極薄膜から厚膜まで成膜。オスミウム導電被膜の成膜量は放電時間におおよそ比例しますので、簡単にナノレベルの膜厚制御ができます。