アプリケーション

クリーニング

親水化・表面改質

PDMS接合

CF4を利用したhBN(窒化ホウ素)プラズマ処理 
※SEDE-PHL使用時

hBN(窒化ホウ素)をCF4ガスを使用したプラズマでの処理です。
Si基板上に金電極を付けており、二つの金電極間をhBNでつないだナノ電気機械デバイスを作製します。
しかし、hBNを着ける場所は1μm程度のため、狙って着けることができません。そこで、広くhBNを着け、レジストで保護した後に不要な場所をCF4プラズマにて処理を行いました。120秒の処理でhBNはプラズマに除去され、レジストで保護された部分のみが残っています。

資料御提供:大阪公立大学工学研究科 電子物理工学分野 ナノデバイス研究グループ 教授 秋田成司 様

SEDEでCF4を利用したhBN(窒化ホウ素)プラズマ処理

有機物ソフトプラズマクリーニング

高熱や有機培養を用いず、ダメージフリークリーニング

SEDEで有機物ソフトプラズマクリーニングを行った画像

下のSEM 画像は、金属ナノ細孔体の1 つである”白金ナノ粒子” です。

炭素の含量が多すぎるために、触媒としての活性が低いという問題点からSEDE ソフト エッチング装置により、この白金ナノ粒子の生成時に生じたアセトン由来の残渣ポリマーから生 じる炭素の除去をしました。

加熱処理による燃焼除去の場合と比較して温度による影響がほぼないため、凝集せず生成時の形状を保持したまま細孔を埋めていた炭素を除去できました。

資料御提供:
千葉大学理学部 化学科 加納 博文 様

表面間相互作用力測定の前処理

AFMによる溶液中での表面相互作用力測定

AFMのフォースカーブを用いてカンチレバーの先端に付けたシリコンビーズとアルミナ基板の 表面間力を液中で測定した事例です。
アルミナ基板表面に付着したコンタミ物質をクリーニン グする事により、本来の斥力及び引力の測定を行うことが可能になります。

資料御提供:広島大学 工学部 山本 徹也 様

SEDEで表面間相互作用力測定の前処理を行った画像

STEM観察中のコンタミ除去

STEM観察前の触媒(TiO2)を極表面クリーニング

触媒(TiO2)を走査透過電子顕微鏡(STEM)で観察する際に発生するコンタミを除去するため、プラズマエッチング装置の使用が有効ですが、従来のエッチング装置を使用すると、マイクログリッドのカーボン膜が30秒で無くなったり、条件設定がラフで再現性がとれなかったりします。
SEDE ソフトプラズマエッチング装置なら、サンプルによってクリーニング条件を細かく設定で き、ソフトで均一なエッチング処理が出来る為、サンプルに全くコンタミが着かず、カーボン膜 もダメージがありません。特に1nm以下の微小なコンタミだけを除去できます。
安定した均一なプラズマ放電により常に同じ結果が得られ、また最大φ148mmまでのサンプルが処理できる点が非常に有用です。

資料御提供:名古屋大学大学院 工学研究科 電子情報システム専攻 川﨑 忠寛 様

【テスト条件】
サンプルをセットし調整後、写真を撮影、すぐにSTEM(500万倍)で数分間観察を行い、倍率を300万倍に下げて写真撮影を行いました。

SEDEでSTEM観察中のコンタミ除去を行った画像

100×100PET 大判フィルム表面親水化処理

SEDE-PFA使用事例が文献に掲載されました

SEDEで100×100PET 大判フィルム表面親水化処理を行った画像

PETフィルム(100×100㎜)の全面親水化処理後、セルロース水分散液をコーティング。
SEDE-PFAは、大口径φ148㎜ステージでほぼ全面プラズマ照射ができるため、化学処理せずに以下の条件で短時間親水化処理ができます。

PLAフィルム(3W5分処理) 
PETフィルム(6W1分処理)

親水化後にセルロースを塗布したフィルムは、高い透明度を保ちつつ酵素のバリア機能を持ちます。

資料御提供:
東京大学大学院 農学生命科学研究科 生物材料科学専攻 製紙科学研究室
磯貝 明様 齋藤 継之様 福住 早花様

基板の表面改質・親水化処理

PMMA

疎水性の高いPMMAをアルゴンガスを用いて6W、30分処理したところ、処理前の接触角56.9°に 対して24.2°まで親水化処理できました。
PMMAの他、PSやガラス、金、PDMS等の基板について親水化処理の実績があります。

SEDEで基板の表面改質・親水化処理を行った画像

ポリイミド基板

SEDEでポリイミド基板の表面改質・親水化処理を行った画像

太陽電池用半導体薄膜の解析

SEDEで太陽電池用半導体薄膜の解析を行った画像

東京工業大学 炭素循環エネルギー研究センター 伊原様の研究室では、良質な結晶を作製すること が困難なβ-FeSi2半導体の結晶薄膜を、ZMC(Zone Melting Crystallization)法を用いることにより、酸化シリコン膜上に作製することに成功しました。
しかしSiO2に覆われた状態では、作製した結晶薄膜の電気物性が測定できませんでした。
そこでSEDEソフトエッチングデバイスにアルゴンガスを導入してcap層のSiO2をエッチングすることにしました。
結晶化させる前の薄膜にエッチングを施すと、上記画像のようにsample層にダメージなく、cap層 を削ることができました。結晶化した薄膜でもフッ酸等の化学薬品を用いずにエッチング処理する こができ、電気物性の測定も可能となりました。
実際の太陽電池への応用がますます期待されています。

サンプルホルダーの傾きによるbottom層の厚さの変化を補正したあとのSEM画像を見比べると、
エッチングされていることが視覚的に確認できます。

SEDEでエッチング処理を行った画像

TEMグリッドの親水化処理

水に浮いた超薄片を水面下からすくい上げる際、疎水性のある支持膜の場合、支持膜を切片に近づけると切片が逃げてしまいすくうことが出来ません。疎水性の強いカーボン膜には、親水化が必要です。低出力でプラズマ処理できるSEDEならば、脆いカーボン膜もダメージなく処理することができます。

SEDEでTEMグリッドの親水化処理を行った画像

大判PDMS試料の接合

SEDEで大判PDMS試料の接合を行った画像

PDMS試料の接合用プラズマ処理では、PDMS基板とマイクロ流路加工を行ったガラス基板を接着 剤、加熱溶融処理などは不要で、失敗なくコンスタントに接合できます。

大きめの試料なら、90×45㎜2枚程度(基板とシリコン等)のPDMS全面接合が可能です。 PDMS-PS(ポリスチレン)やPDMS-PVC(ポリ塩化ビニール)も接合可能です。

資料御提供:
広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 村上 裕二 様

PageTop